Ульяновское отделение института радиотехники и электроники РАН

Установка для измерения теплоэлектрических
параметров мощных транзисторов - УИТЭП

Установка предназначена для измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных биполярных транзисторов R_ТП-К в зависимости от коллекторного напряжения при различных эмиттерных токах. Установка может использоваться для неразрушающего контроля качества и отбраковки потенциально ненадежных мощных транзисторов на входном контроле предприятий радиопромышленности, приборостроении и других отраслей промышленности.

Принцип действия основан на измерении переменной составляющей напряжения на эмиттерном переходе транзистора при постоянном токе эмиттера и подаче на коллектор суммы линейно нарастающего и синусоидального напряжений. В установке объединены два способа задания греющей мощности при измерении тепловых характеристик мощных транзисторов по авторским свидетельствам СССР №808831 и  №1020789,  позволяющие в едином измерительном цикле получить зависимость теплового сопротивления переход-корпус транзистора от коллекторного напряжения при постоянном коллекторном токе R_ТП-К(U_К). О качестве транзистора и характере токораспределения в его структуре судят по виду и особенностям этой зависимости. Показателем неоднородности токораспределения в структуре прибора и информативным параметром для определения максимальной температуры перехода служит крутизна зависимости R_ТП-К(U_К). Путем экстраполяции зависимости R_ТП-К(U_К) можно также оценить предельное значение коллекторного напряжения U_Кпред ( и, соответственно, предельной мощности – P_пред=I_Э·U_Кпред), при котором температура перехода транзистора достигает предельно допустимого значения T_ппред.

Технические характеристики установки:
Тип испытуемых транзисторов                                                                             n-p-n       
Диапазон измерения теплового сопротивления, К/Вт                                            0,1-100,0
Погрешность измерения, %                                                                                  10
Диапазон тока эмиттера, А                                                                                   0.1¸1.5
Амплитуда коллекторного напряжения, В                                                             30¸50
Время измерения, с                                                                                              не более 2
Питание
       напряжением, В                                                                                           220
       частотой, Гц                                                                                                  50
Потребляемая мощность, Вт                                                                                не более 60
Габаритные размеры, мм                                                                                     485х115х350
Масса, кг                                                                                                              не более 8

Цена установки  договорная – от 200 до 350 тыс. руб. в зависимости от  требований заказчика.

432011, Ульяновск, а/я 9868, ул. Гончарова 48/2, УО ИРЭ РАН
тел./факс. (8422) 44-29-96, тел. (8422) 44-02-11

В начало страницы

Ульяновск, 432011, ул.Гончарова, 48
Ульяновское отделение института радиотехники и электроники РАН
E-mail: ufire@mv.ru

УО ИРЭ РАН | Научные направления